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74HCT10PW,112
74HCT10PW,112
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特長: -
入力数: 3
回路数: 3
動作温度: -40°C~125°C
論理タイプ: NANDゲート
電圧 - 供給: 4.5V~5.5V
取り付けタイプ: 面実装
論理レベル - 低: 0.8V
論理レベル - 高: 2V
電流 - 出力高、低: 4mA、4mA
電流 - 静止(最大): 2 µA
V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延: 24ns @ 4.5V、50pF
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入力数: 3
回路数: 3
動作温度: -40°C~125°C
論理タイプ: NANDゲート
電圧 - 供給: 4.5V~5.5V
取り付けタイプ: 面実装
論理レベル - 低: 0.8V
論理レベル - 高: 2V
電流 - 出力高、低: 4mA、4mA
電流 - 静止(最大): 2 µA
V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延: 24ns @ 4.5V、50pF
