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74ABT821PW,112
74ABT821PW,112
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メーカー: NXP USA Inc.
数量
機能: 標準
タイプ: Dタイプ
素子数: 1
動作温度: -40°C~85°C(TA)
出力タイプ: 3ステート、非反転
電圧 - 供給: 4.5V~5.5V
トリガタイプ: ポジティブエッジ
入力静電容量: 4 pF
クロック周波数: 185 MHz
取り付けタイプ: 面実装
電流 - 静止(Iq): 250 µA
電流 - 出力高、低: 32mA、64mA
素子あたりのビット数: 10
V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延: 6.2ns @ 5V、50pF
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タイプ: Dタイプ
素子数: 1
動作温度: -40°C~85°C(TA)
出力タイプ: 3ステート、非反転
電圧 - 供給: 4.5V~5.5V
トリガタイプ: ポジティブエッジ
入力静電容量: 4 pF
クロック周波数: 185 MHz
取り付けタイプ: 面実装
電流 - 静止(Iq): 250 µA
電流 - 出力高、低: 32mA、64mA
素子あたりのビット数: 10
V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延: 6.2ns @ 5V、50pF
