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71V65703S75PFG
71V65703S75PFG
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メーカー: Renesas Electronics Corporation
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数量
技術: SRAM - 同期、SDR(ZBT)
動作温度: 0°C~70°C(TA)
メモリ構成: 256K x 36
電圧 - 供給: 3.135V~3.465V
アクセス時間: 7.5 ns
メモリサイズ: 9Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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動作温度: 0°C~70°C(TA)
メモリ構成: 256K x 36
電圧 - 供給: 3.135V~3.465V
アクセス時間: 7.5 ns
メモリサイズ: 9Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
