仕入ランク:A
1
/
の
1
71T75802S200BGGI8
71T75802S200BGGI8
価格はお問合せ
要確認
メーカー: Renesas Electronics Corporation
データシート: データシートを表示
数量
技術: SRAM - 同期、SDR(ZBT)
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 1M x 18
電圧 - 供給: 2.375V~2.625V
アクセス時間: 3.2 ns
メモリサイズ: 18Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
詳細を表示する
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 1M x 18
電圧 - 供給: 2.375V~2.625V
アクセス時間: 3.2 ns
メモリサイズ: 18Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
