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70V35L20PFGI8
70V35L20PFGI8
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メーカー: Renesas Electronics Corporation
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数量
技術: SRAM - デュアルポート、非同期
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 8K x 18
電圧 - 供給: 3V~3.6V
アクセス時間: 20 ns
メモリサイズ: 144Kビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 20ns
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 8K x 18
電圧 - 供給: 3V~3.6V
アクセス時間: 20 ns
メモリサイズ: 144Kビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 20ns
