仕入ランク:A
1
/
の
0
6585_2N4209
6585_2N4209
価格はお問合せ
要確認
メーカー: ONSEMI
数量
認定: -
グレード: -
動作温度: 200°C(TJ)
電力 - 最大: 300 mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: PNP
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 800mV @ 100µA、1mA
周波数 - トランジション: 850MHz
電流 - コレクタ遮断(最大): 10nA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 50 mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 35 @ 1mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 15 V
詳細を表示する
グレード: -
動作温度: 200°C(TJ)
電力 - 最大: 300 mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: PNP
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 800mV @ 100µA、1mA
周波数 - トランジション: 850MHz
電流 - コレクタ遮断(最大): 10nA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 50 mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 35 @ 1mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 15 V