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6116SA120TDB
6116SA120TDB
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メーカー: IDT, Integrated Device Technology Inc
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数量
技術: SRAM - 非同期
認定: -
グレード: -
動作温度: -55°C~125°C(TA)
メモリ構成: 2K x 8
電圧 - 供給: 4.5V~5.5V
アクセス時間: 120 ns
メモリサイズ: 16Kビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: スルーホール
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 120ns
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認定: -
グレード: -
動作温度: -55°C~125°C(TA)
メモリ構成: 2K x 8
電圧 - 供給: 4.5V~5.5V
アクセス時間: 120 ns
メモリサイズ: 16Kビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: スルーホール
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 120ns
