技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Pチャンネル
グレード: -
動作温度: -
Vgs（最大）: -6.5V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 350mW
Id印加時のVgs（th）（最大）: 5V @ 10µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 250オーム @ 100µA、20V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 50mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 3.5 pF @ 15 V