技術: FLASH - NAND（TLC）、DRAM - LPDDR4X
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C～85°C（TC）
メモリ構成: 32G x 8
電圧 - 供給: 1.06V～1.17V、1.7V～1.95V、2.7V～3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 256Gビット
メモリタイプ: 不揮発性、揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: FLASH、RAM
メモリインターフェース: eMMC_5.1
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 18ns