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2SK932-24-TB-E
2SK932-24-TB-E
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認定: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 150°C(TJ)
電力 - 最大: 200 mW
抵抗 - RDS(On): -
取り付けタイプ: 面実装
電流ドレイン(Id) - 最大: 50 mA
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 15 V
電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ): 200 mV @ 100 µA
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS): -
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): -
電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss): 14.5 mA @ 5 V
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FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 150°C(TJ)
電力 - 最大: 200 mW
抵抗 - RDS(On): -
取り付けタイプ: 面実装
電流ドレイン(Id) - 最大: 50 mA
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 15 V
電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ): 200 mV @ 100 µA
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS): -
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): -
電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss): 14.5 mA @ 5 V
