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2SK2225-80-E#T2
2SK2225-80-E#T2
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メーカー: Renesas Electronics Corporation
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数量
技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 150°C
Vgs（最大）: ±20V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 50W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 12オーム @ 1A、15V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1500 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 2A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 990 pF @ 10 V
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認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 150°C
Vgs（最大）: ±20V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 50W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 12オーム @ 1A、15V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1500 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 2A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 990 pF @ 10 V
