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2SD2652T106
2SD2652T106
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メーカー: ROHM Semiconductor
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認定: -
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 200 mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
Vce飽和（最大） @ lb、Ic: 200mV @ 25mA、500mA
周波数 - トランジション: 400MHz
電流 - コレクタ遮断（最大）: 100nA（ICBO）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 1.5 A
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 270 @ 200mA、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 12 V
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グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 200 mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
Vce飽和（最大） @ lb、Ic: 200mV @ 25mA、500mA
周波数 - トランジション: 400MHz
電流 - コレクタ遮断（最大）: 100nA（ICBO）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 1.5 A
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 270 @ 200mA、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 12 V
