仕入ランク:A
1
/
の
1
2SD1223(TE16L1,NQ)
2SD1223(TE16L1,NQ)
価格はお問合せ
要確認
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
データシート: データシートを表示
数量
認定: -
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 1 W
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN - ダーリントン
Vce飽和（最大） @ lb、Ic: 1.5V @ 6mA、3A
周波数 - トランジション: -
電流 - コレクタ遮断（最大）: 20µA（ICBO）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 4 A
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 1000 @ 3A、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 80 V
詳細を表示する
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 1 W
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN - ダーリントン
Vce飽和（最大） @ lb、Ic: 1.5V @ 6mA、3A
周波数 - トランジション: -
電流 - コレクタ遮断（最大）: 20µA（ICBO）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 4 A
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 1000 @ 3A、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 80 V
