ゲイン: 6.5dB
動作温度: 125°C（TJ）
電力 - 最大: 125mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 10GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 1.7dB @ 900MHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 30mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 40 @ 10mA、3V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 6V