ゲイン: 11dB～16.5dB
動作温度: 125°C（TJ）
電力 - 最大: 100mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 7GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 1.1dB @ 1GHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 80mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 120 @ 20mA、10V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 12V