ゲイン: 11dB～14dB
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 150mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 6GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 1.3dB～2dB @ 800MHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 80mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 80 @ 20mA、8V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 10V