ゲイン: 9dB～12dB
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 150mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 4.5GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 1.3dB～2.5dB @ 800MHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 30mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 40 @ 10mA、10V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 12V