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2SB817C-1E
2SB817C-1E
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メーカー: ONSEMI
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認定: -
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 120 W
取り付けタイプ: スルーホール
トランジスタタイプ: PNP
Vce飽和（最大） @ lb、Ic: 2V @ 500mA、5A
周波数 - トランジション: 10MHz
電流 - コレクタ遮断（最大）: 100µA（ICBO）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 12 A
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 100 @ 1A、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 140 V
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グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 120 W
取り付けタイプ: スルーホール
トランジスタタイプ: PNP
Vce飽和（最大） @ lb、Ic: 2V @ 500mA、5A
周波数 - トランジション: 10MHz
電流 - コレクタ遮断（最大）: 100µA（ICBO）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 12 A
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 100 @ 1A、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 140 V
