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2SB1188T100Q
2SB1188T100Q
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メーカー: ROHM Semiconductor
数量
認定: -
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 2 W
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: PNP
Vce飽和（最大） @ lb、Ic: 800mV @ 200mA、2A
周波数 - トランジション: 100MHz
電流 - コレクタ遮断（最大）: 1µA（ICBO）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 2 A
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 120 @ 500mA、3V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 32 V
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グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 2 W
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: PNP
Vce飽和（最大） @ lb、Ic: 800mV @ 200mA、2A
周波数 - トランジション: 100MHz
電流 - コレクタ遮断（最大）: 1µA（ICBO）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 2 A
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 120 @ 500mA、3V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 32 V
