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2SB1132-R-TP
2SB1132-R-TP
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動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 500 mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: PNP
Vce飽和（最大） @ lb、Ic: 500mV @ 100mA、2A
周波数 - トランジション: 150MHz
電流 - コレクタ遮断（最大）: 500nA（ICBO）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 1 A
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 180 @ 100mA、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 32 V
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電力 - 最大: 500 mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: PNP
Vce飽和（最大） @ lb、Ic: 500mV @ 100mA、2A
周波数 - トランジション: 150MHz
電流 - コレクタ遮断（最大）: 500nA（ICBO）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 1 A
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 180 @ 100mA、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 32 V
