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2SB1116-U-TP
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動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 350 mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: PNP
Vce飽和（最大） @ lb、Ic: 300mV @ 50mA、1A
周波数 - トランジション: 70MHz
電流 - コレクタ遮断（最大）: 100nA（ICBO）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 1 A
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 300 @ 100mA、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 50 V
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電力 - 最大: 350 mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: PNP
Vce飽和（最大） @ lb、Ic: 300mV @ 50mA、1A
周波数 - トランジション: 70MHz
電流 - コレクタ遮断（最大）: 100nA（ICBO）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 1 A
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 300 @ 100mA、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 50 V
