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2SA1312GRTE85LF
2SA1312GRTE85LF
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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認定: -
グレード: -
動作温度: 125°C（TJ）
電力 - 最大: 150 mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: PNP
Vce飽和（最大） @ lb、Ic: 300mV @ 1mA、10mA
周波数 - トランジション: 100MHz
電流 - コレクタ遮断（最大）: 100nA（ICBO）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 100 mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 200 @ 2mA、6V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 120 V
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グレード: -
動作温度: 125°C（TJ）
電力 - 最大: 150 mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: PNP
Vce飽和（最大） @ lb、Ic: 300mV @ 1mA、10mA
周波数 - トランジション: 100MHz
電流 - コレクタ遮断（最大）: 100nA（ICBO）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 100 mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 200 @ 2mA、6V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 120 V
