仕入ランク:A
1
/
の
1
2N3820_D26Z
2N3820_D26Z
価格はお問合せ
要確認
メーカー: ONSEMI
数量
認定: -
FETタイプ: Pチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 350 mW
抵抗 - RDS（On）: -
取り付けタイプ: スルーホール
電流ドレイン（Id） - 最大: -
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -
電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）: 8 V @ 10 µA
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）: 20 V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 32pF @ 10V
電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）: 300 µA @ 10 V
詳細を表示する
FETタイプ: Pチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 350 mW
抵抗 - RDS（On）: -
取り付けタイプ: スルーホール
電流ドレイン（Id） - 最大: -
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -
電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）: 8 V @ 10 µA
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）: 20 V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 32pF @ 10V
電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）: 300 µA @ 10 V
