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2ED1321S12MXUMA1
2ED1321S12MXUMA1
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~125°C(TA)
駆動構成: ハーフブリッジ
ドライバ数: 2
入力タイプ: 非反転
電圧 - 供給: 13V~20V
ゲートタイプ: IGBT、SiC MOSFET
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: 独立
論理電圧 - VIL、VIH: 1.1V、1.7V
DigiKeyプログラマブル: -
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 48ns、48ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 2.3A、4.6A
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): -
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グレード: -
動作温度: -40°C~125°C(TA)
駆動構成: ハーフブリッジ
ドライバ数: 2
入力タイプ: 非反転
電圧 - 供給: 13V~20V
ゲートタイプ: IGBT、SiC MOSFET
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: 独立
論理電圧 - VIL、VIH: 1.1V、1.7V
DigiKeyプログラマブル: -
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 48ns、48ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 2.3A、4.6A
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): -
