仕入ランク:A
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2ED020I12-F
2ED020I12-F
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メーカー: Infineon
数量
動作温度: -
駆動構成: ハーフブリッジ
ドライバ数: 2
入力タイプ: 反転
電圧 - 供給: 0V~18V
ゲートタイプ: IGBT、MOSFET(Nチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: 独立
論理電圧 - VIL、VIH: -
DigiKeyプログラマブル: 未検証
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): -
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 1A、2A
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): 1200 V
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駆動構成: ハーフブリッジ
ドライバ数: 2
入力タイプ: 反転
電圧 - 供給: 0V~18V
ゲートタイプ: IGBT、MOSFET(Nチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: 独立
論理電圧 - VIL、VIH: -
DigiKeyプログラマブル: 未検証
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): -
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 1A、2A
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): 1200 V
