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1SV305,H3F
1SV305,H3F
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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認定: -
グレード: -
動作温度: 125°C(TJ)
静電容量比: 3.0
Vr、F印加時のQ: -
取り付けタイプ: 面実装
静電容量比条件: C1/C4
ダイオードタイプ: シングル
Vr、F印加時の静電容量: 6.6pF @ 4V、1MHz
電圧 - ピーク逆方向(最大): 10 V
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グレード: -
動作温度: 125°C(TJ)
静電容量比: 3.0
Vr、F印加時のQ: -
取り付けタイプ: 面実装
静電容量比条件: C1/C4
ダイオードタイプ: シングル
Vr、F印加時の静電容量: 6.6pF @ 4V、1MHz
電圧 - ピーク逆方向(最大): 10 V
