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1N8033-GA
1N8033-GA
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技術: SiC（Silicon Carbide）Schottky
認定: -
速度: 回復時間なし > 500mA（Io）
グレード: -
取り付けタイプ: 面実装
逆回復時間（trr）: 0 ns
電流 - 平均整流（Io）: 4.3A
Vr、F印加時の静電容量: 274pF @ 1V、1MHz
動作温度 - ジャンクション: -55°C～250°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 5 µA @ 650 V
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）: 650 V
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 1.65 V @ 5 A
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認定: -
速度: 回復時間なし > 500mA（Io）
グレード: -
取り付けタイプ: 面実装
逆回復時間（trr）: 0 ns
電流 - 平均整流（Io）: 4.3A
Vr、F印加時の静電容量: 274pF @ 1V、1MHz
動作温度 - ジャンクション: -55°C～250°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 5 µA @ 650 V
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）: 650 V
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 1.65 V @ 5 A
