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043641RLAD-6
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技術: SRAM
動作温度: 0°C~110°C(TJ)
メモリ構成: 128K x 36
電圧 - 供給: 3.135V~3.63V
アクセス時間: 3 ns
メモリサイズ: 4.5Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: LVTTL
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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動作温度: 0°C~110°C(TJ)
メモリ構成: 128K x 36
電圧 - 供給: 3.135V~3.63V
アクセス時間: 3 ns
メモリサイズ: 4.5Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: LVTTL
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
