技術: SRAM - 同期
動作温度: 0°C～85°C（TA）
メモリ構成: 512K x 18
電圧 - 供給: 2.375V～2.625V
アクセス時間: 1.8 ns
メモリサイズ: 8Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: HSTL
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -