{"product_id":"tt8m2tr-s1","title":"TT8M2TR","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e構成: NおよびPチャンネル\u003cbr\u003eFET機能: 論理レベルゲート\u003cbr\u003e動作温度: 150°C（TJ）\u003cbr\u003e電力 - 最大: 1.25W\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 1.5V @ 1mA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 90ミリオーム @ 2.5A、4.5V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V、20V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 2.5A\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 3.2nC @ 4.5V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 180pF @ 10V","brand":"Rohm Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44679479394383,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/846_7ETSST8_7E_7E8_5f69a96a-0e1e-4bd1-8d0c-4771697a61b1.jpg?v=1773196811","url":"https:\/\/tayol.net\/products\/tt8m2tr-s1","provider":"TAYOL","version":"1.0","type":"link"}