{"product_id":"si3588dv-t1-ge3-s1","title":"SI3588DV-T1-GE3","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e構成: NおよびPチャンネル\u003cbr\u003eFET機能: 論理レベルゲート\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003e電力 - 最大: 830mW、83mW\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 450mV @ 250µA（最小）\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 80ミリオーム @ 3A、4.5V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 2.5A、570mA\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 7.5nC @ 4.5V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Vishay Siliconix","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44679481131087,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/742_7E5540_7EDV_2CEV_7E6_0cc7b73c-815c-47c4-bf2e-25909f4e1eb8.jpg?v=1773196819","url":"https:\/\/tayol.net\/products\/si3588dv-t1-ge3-s1","provider":"TAYOL","version":"1.0","type":"link"}