{"product_id":"si3586dv-t1-ge3-s1","title":"SI3586DV-T1-GE3","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e構成: NおよびPチャンネル\u003cbr\u003eFET機能: 論理レベルゲート\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003e電力 - 最大: 830mW\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 1.1V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 60ミリオーム @ 3.4A、4.5V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 2.9A、2.1A\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 6nC @ 4.5V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Vishay Siliconix","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44679481229391,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/742_7E5540_7EDV_2C-EV_7E6_6baf3ac0-25a2-400b-aea1-e53617da5ccc.jpg?v=1773196817","url":"https:\/\/tayol.net\/products\/si3586dv-t1-ge3-s1","provider":"TAYOL","version":"1.0","type":"link"}