{"product_id":"gp3t080a120j-s1","title":"GP3T080A120J","description":"技術: SiCFET（炭化ケイ素）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: +22V、-8V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 155W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 5mA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 100ミリオーム @ 10A、18V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 33A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 54 nC @ 18 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 18V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1351 pF @ 1000 V","brand":"SemiQ","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44623912403023,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"url":"https:\/\/tayol.net\/products\/gp3t080a120j-s1","provider":"TAYOL","version":"1.0","type":"link"}