{"product_id":"g3f33mt06j-tr-s1","title":"G3F33MT06J-TR","description":"技術: SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）\u003cbr\u003e認定: AEC-Q101\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: 自動車\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: +22V、-10V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 261W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 4.3V @ 12mA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 38ミリオーム @ 26A、18V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 650 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 80A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 81 nC @ 18 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V、18V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 2394 pF @ 400 V","brand":"Navitas Semiconductor, Inc.","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601968427087,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/1242_7ETO263-7_7E_7E7_823b7047-90d2-4902-bd18-1bc3e732f529.jpg?v=1772905889","url":"https:\/\/tayol.net\/products\/g3f33mt06j-tr-s1","provider":"TAYOL","version":"1.0","type":"link"}