{"product_id":"g3f25mt06j-tr-s1","title":"G3F25MT06J-TR","description":"技術: SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）\u003cbr\u003e認定: AEC-Q101\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: 自動車\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: +22V、-10V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 343W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 4.3V @ 15mA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 27.5ミリオーム @ 35A、18V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 650 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 108A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 108 nC @ 18 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V、18V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 2939 pF @ 400 V","brand":"Navitas Semiconductor, Inc.","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44623811608655,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/1242_7ETO263-7_7E_7E7_94070ee6-b980-4471-a1a1-1ebf71679848.jpg?v=1772978022","url":"https:\/\/tayol.net\/products\/g3f25mt06j-tr-s1","provider":"TAYOL","version":"1.0","type":"link"}