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FD1000R17IE4DB2BOSA1
FD1000R17IE4DB2BOSA1
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メーカー: Infineon
数量
入力: 標準
構成: シングル
動作温度: -40°C~150°C
IGBTタイプ: -
電力 - 最大: 6250 W
NTCサーミスタ: あり
取り付けタイプ: シャーシマウント
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 2.45V @ 15V、 1000A
入力静電容量(Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V
電流 - コレクタ遮断(最大): 5 mA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 1390 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 1700 V
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構成: シングル
動作温度: -40°C~150°C
IGBTタイプ: -
電力 - 最大: 6250 W
NTCサーミスタ: あり
取り付けタイプ: シャーシマウント
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 2.45V @ 15V、 1000A
入力静電容量(Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V
電流 - コレクタ遮断(最大): 5 mA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 1390 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 1700 V