{"title":"PN Junction Semiconductor","description":"","products":[{"product_id":"p3m171k0k3-s1","title":"P3M171K0K3","description":"技術: SiCFET（炭化ケイ素）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: +19V、-8V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 68W\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.2V @ 2mA（標準）\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 1.4オーム @2A、15V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1700 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 6A\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"PN Junction Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601772605519,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_P3M171K0K3.jpg?v=1772905189"},{"product_id":"p3m173k0t3-s1","title":"P3M173K0T3","description":"技術: SiCFET（炭化ケイ素）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: +19V、-8V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 75W\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.2V @ 600µA（標準）\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 2.6オーム @ 600mA、15V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1700 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 4A\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"PN Junction Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601772703823,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_P3M173K0T3.jpg?v=1772905192"},{"product_id":"p3m06040k3-s1","title":"P3M06040K3","description":"技術: SiCFET（炭化ケイ素）\u003cbr\u003e認定: AEC-Q101\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: 自動車\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: +20V、-8V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 254W\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.4V @ 7.5mA（標準）\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 50ミリオーム @ 40A、15V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 650 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 68A\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"PN Junction Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601772802127,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_P3M06040K3.jpg?v=1772905192"},{"product_id":"p3m12080k3-s1","title":"P3M12080K3","description":"技術: SiCFET（炭化ケイ素）\u003cbr\u003e認定: AEC-Q101\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: 自動車\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: +21V、-8V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 221W\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.4V @ 5mA（標準）\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 96ミリオーム @ 20A、15V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 47A\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"PN Junction Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601772900431,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_P3M12080K3.jpg?v=1772905190"},{"product_id":"p3m12080k4-s1","title":"P3M12080K4","description":"技術: SiCFET（炭化ケイ素）\u003cbr\u003e認定: AEC-Q101\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: 自動車\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: +21V、-8V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 221W\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.4V @ 5mA（標準）\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 96ミリオーム @ 20A、15V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 47A\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"PN Junction Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601772965967,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_P3M12080K4.jpg?v=1772905190"},{"product_id":"p3m12025k4-s1","title":"P3M12025K4","description":"技術: SiCFET（炭化ケイ素）\u003cbr\u003e認定: AEC-Q101\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: 自動車\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: +19V、-8V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 577W\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.2V @ 50mA（標準）\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 35ミリオーム @ 50A、15V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 112A\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"PN Junction Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601772998735,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_P3M12025K4.jpg?v=1772905194"},{"product_id":"p3m06060t3-s1","title":"P3M06060T3","description":"技術: SiCFET（炭化ケイ素）\u003cbr\u003e認定: AEC-Q101\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: 自動車\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: +20V、-8V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 170W\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.2V @ 20mA（標準）\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 79ミリオーム @ 20A、15V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 650 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 46A\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"PN Junction Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601773031503,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_P3M06060T3.jpg?v=1772905191"},{"product_id":"p3m12160k3-s1","title":"P3M12160K3","description":"技術: SiCFET（炭化ケイ素）\u003cbr\u003e認定: AEC-Q101\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: 自動車\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: +21V、-8V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 110W\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.4V @ 2.5mA（標準）\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 192ミリオーム @ 10A、15V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 19A\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"PN Junction Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601773097039,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_P3M12160K3.jpg?v=1772905192"},{"product_id":"p3m06060g7-s1","title":"P3M06060G7","description":"技術: SiCFET（炭化ケイ素）\u003cbr\u003e認定: AEC-Q101\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: 自動車\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: +20V、-8V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 159W\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.2V @ 20mA（標準）\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 79ミリオーム @ 20A、15V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 650 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 44A\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"PN Junction Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601974653007,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_P3M06060G7.jpg?v=1772905912"},{"product_id":"p3d06008i2-s1","title":"P3D06008I2","description":"技術: SiC（Silicon Carbide）Schottky\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003e速度: 回復時間なし \u0026gt; 500mA（Io）\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e取り付けタイプ: -\u003cbr\u003e逆回復時間（trr）: 0 ns\u003cbr\u003e電流 - 平均整流（Io）: 21A\u003cbr\u003eVr、F印加時の静電容量: -\u003cbr\u003e動作温度 - ジャンクション: -55°C～175°C\u003cbr\u003e電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 36 µA @ 650 V\u003cbr\u003e電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）: 650 V\u003cbr\u003e電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: -","brand":"PN Junction Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44680724021327,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_P3D06008I2.jpg?v=1773201789"}],"url":"https:\/\/tayol.net\/collections\/m-pn-junction-semiconductor.oembed","provider":"TAYOL","version":"1.0","type":"link"}