{"title":"Goford Semiconductor","description":"","products":[{"product_id":"gt750p10k-s1","title":"GT750P10K","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 79W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 75ミリオーム @ 20A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 24A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 40 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1940 pF @ 50 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601497518159,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/3141_7ETO252-3_7E_7E2_452cb643-9d7d-4352-b97d-ba62803129be.jpg?v=1772904178"},{"product_id":"g050p03d5-s1","title":"G050P03D5","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: -\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 100W\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: -\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 4ミリオーム @ 20A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 85A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 111 nC @ -10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 7670 pF @ -15 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601497747535,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4822_GT880P15D5.jpg?v=1772904178"},{"product_id":"25p06-s1","title":"25P06","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 100W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 32ミリオーム @ 12A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 25A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601497780303,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_25P06.jpg?v=1772904178"},{"product_id":"g20p10ke-s1","title":"G20P10KE","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 69W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 116ミリオーム @ 16A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 20A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 70 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 3354 pF @ 50 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498075215,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/3141_7ETO252-3_7E_7E2.jpg?v=1772904177"},{"product_id":"gt180n12k-s1","title":"GT180N12K","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 96W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 4.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 17ミリオーム @ 20A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 120 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 55A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 25 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1650 pF @ 60 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498107983,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/3141_7ETO252-3_7E_7E2_0d75e1d0-8fed-49f4-a527-c633c426540b.jpg?v=1772904179"},{"product_id":"g370p10k-s1","title":"G370P10K","description":"技術: -\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: -\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -\u003cbr\u003eVgs（最大）: -\u003cbr\u003e取り付けタイプ: -\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: -\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: -\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: -\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: -\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498730575,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4822_TO-252.jpg?v=1772904181"},{"product_id":"g70n04t-s1","title":"G70N04T","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 104W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.4V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 7ミリオーム @ 30A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 70A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601499091023,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_GT52N10T.jpg?v=1772904184"},{"product_id":"gt095n10k-s1","title":"GT095N10K","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 74W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 10.5ミリオーム @ 35A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 55A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 54 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1667 pF @ 50 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601501745231,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/3141_7ETO252-3_7E_7E2_78cc3ec6-d6b3-4d6b-8d2a-71a70f694baa.jpg?v=1772904190"},{"product_id":"gt095n10d5-s1","title":"GT095N10D5","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 74W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 11ミリオーム @ 35A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 55A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601502564431,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_G30N04D3.jpg?v=1772904195"},{"product_id":"g350p02lle-s1","title":"G350P02LLE","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±10V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 1.4W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 1V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 35ミリオーム @ 4A、4.5V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 4.5A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 1.8V、4.5V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601503907919,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4822_G1K3N10LL.jpg?v=1772904200"},{"product_id":"g1k1p06lh-s1","title":"G1K1P06LH","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 3.1W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 110ミリオーム @ -3A、-10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 60 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 4.5A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 11 nC @ -10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 970 pF @ -30 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601503973455,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_G1K1P06LH.jpg?v=1772904199"},{"product_id":"g3401l-s1","title":"G3401L","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±12V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 1.3W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 1.3V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 55ミリオーム @ 4A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 4.4A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 2.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601504104527,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_G6N02L_ee9182bf-0a90-4654-af80-9a290f1ea6fa.jpg?v=1772904202"},{"product_id":"g6n02l-s1","title":"G6N02L","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±12V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 1.8W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 900mV @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 11.3ミリオーム @ 3A、4.5V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 6A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 2.5V、4.5V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601504170063,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_G6N02L_5b4a1446-09bb-4722-ab30-4dd35deac017.jpg?v=1772904201"},{"product_id":"gt1003d-s1","title":"GT1003D","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 2W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.6V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 130ミリオーム @ 3A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601504202831,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_G6N02L.jpg?v=1772904198"},{"product_id":"g300n04l-s1","title":"G300N04L","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 2.1W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 35ミリオーム @ 2A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 5A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 10 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 517 pF @ 20 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601504235599,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4822_G300N04L.jpg?v=1772904199"},{"product_id":"gt1003a-s1","title":"GT1003A","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 1.6W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 140ミリオーム @ 3A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601504432207,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_G6N02L_7435834b-7336-4ded-a5a7-f5accdff25d9.jpg?v=1772904203"},{"product_id":"g3404-s1","title":"G3404","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 1.4W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 22ミリオーム @ 3A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 5.6A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 16 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 568 pF @ 15 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601504530511,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/3141_7ESOT23-3_7E_7E3.jpg?v=1772904201"},{"product_id":"g300n04d3-s1","title":"G300N04D3","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 1.25W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 30ミリオーム @ 3A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 6A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 10 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 479 pF @ 20 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601504563279,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_G75P04D5.jpg?v=1772904200"},{"product_id":"g1k3n10ll-s1","title":"G1K3N10LL","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 2.28W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 130ミリオーム @ 1A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3.4A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 22 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 808 pF @ 50 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601504596047,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4822_G1K3N10LL_5d71048a-5a56-4ae9-9548-4ee6fa5618d3.jpg?v=1772904204"},{"product_id":"g2k3n10h-s1","title":"G2K3N10H","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 2.4W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 220リオーム @ 2A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 2A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 13 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 434 pF @ 50 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601504628815,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/3141_7ESOT223_7E_7E4.jpg?v=1772904201"},{"product_id":"g1k1p06sh-s1","title":"G1K1P06SH","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 1.2W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 100ミリオーム @ 6A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 60 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 4A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 16 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1000 pF @ 30 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601504661583,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/3141_7E8SOP-3.9_7E_7E8.jpg?v=1772904202"},{"product_id":"g1k1p06ll-s1","title":"G1K1P06LL","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 1.5W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 110ミリオーム @ 2A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601504694351,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4822_G1K3N10LL_f20da57a-0681-4e8c-b74f-7b6690eb2f9d.jpg?v=1772904200"},{"product_id":"g29-s1","title":"G29","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±12V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 1.05W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 900mV @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 30ミリオーム @ 3A、4.5V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 4.1A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 2.5V、4.5V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601504759887,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_2302.jpg?v=1772904203"},{"product_id":"gt800n10d3-s1","title":"GT800N10D3","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 19W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 80ミリオーム @ 3A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 7.5A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 5 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 205 pF @ 50 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601504825423,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/3141_7E8DFN-.90-3.15X3.05_7E_7E8.jpg?v=1772904203"},{"product_id":"g66-s1","title":"G66","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±8V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 1.7W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 1V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 45ミリオーム @ 4.1A、4.5V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 5.8A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 2.5V、4.5V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601504858191,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_G2012_29bd7649-9a95-40c0-8cca-a1c3931425b7.jpg?v=1772904205"},{"product_id":"g700p06ll-s1","title":"G700P06LL","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 3.1W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 75ミリオーム @ 3.2A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 5A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601504890959,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4822_G1K3N10LL_44929de7-b3a9-4c7e-885f-f27f144a03ad.jpg?v=1772904204"},{"product_id":"g1006le-s1","title":"G1006LE","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 1.5W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.2V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 150ミリオーム @ 3A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601505054799,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_G6N02L_270dbb83-5792-4c26-b43c-607094f16a7a.jpg?v=1772904202"},{"product_id":"g1003b-s1","title":"G1003B","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 3.3W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 130ミリオーム @ 1A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 30 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 760 pF @ 50 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601505087567,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/3141_7ESOT23-3_7E_7E3_1fd568c5-33d5-447d-a080-e05b7f2a6838.jpg?v=1772904201"},{"product_id":"g10n03s-s1","title":"G10N03S","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 2.5W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 12ミリオーム @ 6A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 10A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601505120335,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_G06N06S.jpg?v=1772904204"},{"product_id":"g35n02s-s1","title":"G35N02S","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±12V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 2.6W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 1.2V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: -\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 12A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 18 nC @ 4.5 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、2.5V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1100 pF @ 10 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601505153103,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/3141_7E8SOP-3.9_7E_7E8_ba960576-b2e3-4fe7-b8ef-3e8479fc4590.jpg?v=1772904202"},{"product_id":"g7k2n20lle-s1","title":"G7K2N20LLE","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 1.8W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 700mOhm @ 1A, 10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 2A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601505185871,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4822_G1K3N10LL_144f16ff-0287-4814-9f94-b38fc619a8b1.jpg?v=1772904206"},{"product_id":"g1007-s1","title":"G1007","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: -\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 28W\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: -\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 110ミリオーム @ 1A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 7A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 11 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V、4.5V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 612 pF @ 50 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601505251407,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4822_GT110N06SH.jpg?v=1772904205"},{"product_id":"g050n06ll-s1","title":"G050N06LL","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 1.25W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 45ミリオーム @ 5A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 5A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601505316943,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4822_G1K3N10LL_3e0747a3-3ea4-4e80-a3b4-d3fa7e37c6ab.jpg?v=1772904206"},{"product_id":"g28n03d3-s1","title":"G28N03D3","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 23W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 12ミリオーム @ 16A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 28A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601505349711,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_G30N04D3_b9aca494-69ca-4d7c-8498-28b104106091.jpg?v=1772904206"},{"product_id":"g220p02d2-s1","title":"G220P02D2","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±12V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 3.5W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 1.2V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 20ミリオーム @ 6A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 8A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601505382479,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_G2012.jpg?v=1772904204"},{"product_id":"g08n06s-s1","title":"G08N06S","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 2.1W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 30ミリオーム @ 3A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 5A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601505448015,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_G06N06S_e0b219c7-2116-4e2a-b29d-9b91ae64c585.jpg?v=1772904204"},{"product_id":"g135p04s-s1","title":"G135P04S","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 2.8W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 14ミリオーム @ 10A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 10A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 49 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 2300 pF @ 20 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601505513551,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/3141_7E8SOP-3.9_7E_7E8_0aa3e3a1-6bef-44bc-943f-71298cd76b15.jpg?v=1772904206"},{"product_id":"g08n03d2-s1","title":"G08N03D2","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 17W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 20ミリオーム @ 4A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 8A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 15 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 681 pF @ 15 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601505546319,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/3141_7E6DFN-.80-2X2_7EN6_7E6.jpg?v=1772904206"},{"product_id":"g12p03d3-s1","title":"G12P03D3","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 30W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 20ミリオーム @ 6A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 12A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601505611855,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_G30N04D3_c1707ff3-1349-41f2-91d9-164786d01162.jpg?v=1772904205"},{"product_id":"g700p06d3-s1","title":"G700P06D3","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 32W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 70ミリオーム @ 4A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 60 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 18A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 25 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1446 pF @ 30 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601505775695,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/3141_7E8DFN-.90-3.15X3.05_7E_7E8_3aed9cab-493a-4f39-ab05-6d9897fc3568.jpg?v=1772904208"},{"product_id":"g11s-s1","title":"G11S","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±12V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 3.3W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 1.1V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 18.4ミリオーム @ 1A、4.5V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 11A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 2.5V、4.5V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601505677391,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_G06N06S_81bad161-cf01-41c0-b62a-50321dd62dec.jpg?v=1772904205"},{"product_id":"g3k8n15he-s1","title":"G3K8N15HE","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 2.16W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 370ミリオーム @ 2A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 150 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 2A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 20 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 558 pF @ 75 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601505710159,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4822_G3K8N15HE.jpg?v=1772904208"},{"product_id":"g7p03s-s1","title":"G7P03S","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 2.7W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 22ミリオーム @ 3A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 9A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601505742927,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_G06N06S_504b2cea-963b-461c-96af-676383816965.jpg?v=1772904204"},{"product_id":"g35n02k-s1","title":"G35N02K","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±12V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 40W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 1.2V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 13ミリオーム @ 20A、4.5V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 35A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 24 nC @ 4.5 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 2.5V、4.5V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1380 pF @ 10 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601505808463,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_G35N02K.jpg?v=1772904205"},{"product_id":"g16n03s-s1","title":"G16N03S","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 2.5W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 10ミリオーム @ 10A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 16A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601505873999,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_G06N06S_252add0a-c835-4120-89dd-f922735e534c.jpg?v=1772904207"},{"product_id":"g10n10a-s1","title":"G10N10A","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 28W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 130ミリオーム @ 2A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 10A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601505906767,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_25P06_fc5db128-c1b0-488e-b7ac-bee371b8b27f.jpg?v=1772904207"},{"product_id":"gt10n10-s1","title":"GT10N10","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 17W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 140ミリオーム @ 3.5A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 7A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601505939535,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_25P06_7ea414b3-e258-4b9a-8e3f-0fe35c5193d3.jpg?v=1772904206"},{"product_id":"g160n04k-s1","title":"G160N04K","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 43W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 15ミリオーム @ 8A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 25A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601505972303,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_25P06_bc5ea2bc-97d9-4f87-b2fb-2391fa817bec.jpg?v=1772904207"},{"product_id":"g04p10he-s1","title":"G04P10HE","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 1.2W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.8V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 200ミリオーム @ 6A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 4A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601506005071,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_G2K3N10H.jpg?v=1772904208"},{"product_id":"g30n03d3-s1","title":"G30N03D3","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 24W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 7ミリオーム @ 20A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 30A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601506037839,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_G30N04D3_65a626cb-4911-44bc-bdb6-9affbc9988a4.jpg?v=1772904208"}],"url":"https:\/\/tayol.net\/collections\/m-goford-semiconductor.oembed?page=4","provider":"TAYOL","version":"1.0","type":"link"}