{"title":"FET・MOSFET","description":"","products":[{"product_id":"blf6g10ls-135rn-11-s1","title":"BLF6G10LS-135RN,11","description":"技術: LDMOS\u003cbr\u003e構成: -\u003cbr\u003eゲイン: 21dB\u003cbr\u003e周波数: 871.5MHz～891.5MHz\u003cbr\u003e雑音指数: -\u003cbr\u003e電圧 - 定格: 65 V\u003cbr\u003e電源 - 出力: 26.5W\u003cbr\u003e電圧 - テスト: 28 V\u003cbr\u003e電流 - テスト: 950 mA\u003cbr\u003e定格電流（A）: 32A\u003cbr\u003e取り付けタイプ: シャーシマウント","brand":"Ampleon USA Inc.","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44594894078031,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_SOT502B.jpg?v=1772904303"},{"product_id":"fqaf16n25c-s1","title":"FQAF16N25C","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±30V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 73W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 270ミリオーム @ 5.7A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 250 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 11.4A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 53.5 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1080 pF @ 25 V","brand":"onsemi","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601497256015,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/488_7EMKT-TO3PFA03_7E_7E3.jpg?v=1772904174"},{"product_id":"mcac90n04-tp-s1","title":"MCAC90N04-TP","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 55W\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 4.5ミリオーム @ 20A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 90A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 95 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 2420 pF @ 20 V","brand":"MCC (Micro Commercial Components)","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601497321551,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/353_7EDFN5060-8_7E_7E8.jpg?v=1772904174"},{"product_id":"2sj325-z-e1-az-s1","title":"2SJ325-Z-E1-AZ","description":"技術: -\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: -\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -\u003cbr\u003eVgs（最大）: -\u003cbr\u003e取り付けタイプ: -\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: -\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: -\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: -\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: -\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Renesas Electronics Corporation","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601497387087,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1_29779d3d-a9ca-4cb4-88dd-0138b466cafe.jpg?v=1772904177"},{"product_id":"irl610a-s1","title":"IRL610A","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 33W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 1.5オーム @ 1.65A、5V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 200 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3.3A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 9 nC @ 5 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 5V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 240 pF @ 25 V","brand":"onsemi","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601497419855,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/488_7EMKT-TO220B03_7E_7E3_16f151bb-3f15-4edf-b015-b6bcf5a6080e.jpg?v=1772904175"},{"product_id":"gt750p10k-s1","title":"GT750P10K","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 79W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 75ミリオーム @ 20A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 24A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 40 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1940 pF @ 50 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601497518159,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/3141_7ETO252-3_7E_7E2_452cb643-9d7d-4352-b97d-ba62803129be.jpg?v=1772904178"},{"product_id":"gsfp1090-s1","title":"GSFP1090","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 134W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 6.2ミリオーム @ 15A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 90A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 55 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 3620 pF @ 50 V","brand":"Good-Ark Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601497681999,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4786_PPAK5x6.jpg?v=1772904174"},{"product_id":"fdpf8n60zut-s1","title":"FDPF8N60ZUT","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±30V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 34.5W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 1.35オーム @ 3.25A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 600 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 6.5A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 26 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1265 pF @ 25 V","brand":"onsemi","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601497714767,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/488_7EMKT-TO220M03_7E_7E3.jpg?v=1772904177"},{"product_id":"g050p03d5-s1","title":"G050P03D5","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: -\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 100W\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: -\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 4ミリオーム @ 20A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 85A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 111 nC @ -10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 7670 pF @ -15 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601497747535,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4822_GT880P15D5.jpg?v=1772904178"},{"product_id":"25p06-s1","title":"25P06","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 100W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 32ミリオーム @ 12A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 25A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601497780303,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_25P06.jpg?v=1772904178"},{"product_id":"umwirfr3806tr-s1","title":"UMWIRFR3806TR","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～155°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 71W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 50µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 15.8ミリオーム @ 25A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 60 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 43A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"UMW","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601497813071,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4518_TO-252_63cf1b7b-e3dd-4b70-94c9-422a396c4d04.jpg?v=1772904177"},{"product_id":"gsjg60r880-s1","title":"GSJG60R880","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±30V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 42W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 880ミリオーム @ 2.5A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 600 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 5A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 12 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 304 pF @ 100 V","brand":"Good-Ark Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601497845839,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4786_TO-251.jpg?v=1772904177"},{"product_id":"umwirlr9343tr-s1","title":"UMWIRLR9343TR","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～155°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 79W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 1V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 105ミリオーム @ 3.4A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 55 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 20A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"UMW","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601497878607,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4518_TO-252_58425b50-ac23-4e07-ac4c-2952ea3f12d3.jpg?v=1772904178"},{"product_id":"umwirf7240tr-s1","title":"UMWIRF7240TR","description":"技術: -\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: -\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -\u003cbr\u003eVgs（最大）: -\u003cbr\u003e取り付けタイプ: -\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: -\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: -\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: -\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: -\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"UMW","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601497911375,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4518_SOP-8_9f5c8e09-9853-46f5-a74a-6d3ac31a1f00.jpg?v=1772904177"},{"product_id":"fds3672-s1","title":"FDS3672","description":"技術: -\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: -\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -\u003cbr\u003eVgs（最大）: -\u003cbr\u003e取り付けタイプ: -\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: -\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: -\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: -\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: -\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"UMW","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601497944143,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4518_SOP-8_c90e3108-121b-4cb7-b023-0ad71d99f3d6.jpg?v=1772904178"},{"product_id":"umwirfb7440pbf-s1","title":"UMWIRFB7440PBF","description":"技術: -\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: -\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -\u003cbr\u003eVgs（最大）: -\u003cbr\u003e取り付けタイプ: -\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: -\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: -\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: -\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: -\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"UMW","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498009679,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4518_TO-220_80d45474-54bf-4641-ab3e-f91cb633d191.jpg?v=1772904180"},{"product_id":"gsgt5008-s1","title":"GSGT5008","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±30V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 131W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 3.9V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 900ミリオーム @ 4A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 500 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 8A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 14.7 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 904 pF @ 25 V","brand":"Good-Ark Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601497976911,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4786_TO-263_28D2PAK_29.jpg?v=1772904179"},{"product_id":"umwstd10nf10l-s1","title":"UMWSTD10NF10L","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～155°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 55W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 110ミリオーム @ 10A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 15A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"UMW","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498042447,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4518_TO-252_51dbe634-3849-446f-ab00-8c092c61c27b.jpg?v=1772904183"},{"product_id":"g20p10ke-s1","title":"G20P10KE","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 69W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 116ミリオーム @ 16A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 20A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 70 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 3354 pF @ 50 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498075215,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/3141_7ETO252-3_7E_7E2.jpg?v=1772904177"},{"product_id":"gt180n12k-s1","title":"GT180N12K","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 96W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 4.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 17ミリオーム @ 20A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 120 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 55A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 25 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1650 pF @ 60 V","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498107983,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/3141_7ETO252-3_7E_7E2_0d75e1d0-8fed-49f4-a527-c633c426540b.jpg?v=1772904179"},{"product_id":"umwirlr7843tr-s1","title":"UMWIRLR7843TR","description":"技術: -\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: -\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -\u003cbr\u003eVgs（最大）: -\u003cbr\u003e取り付けタイプ: -\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: -\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: -\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: -\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: -\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"UMW","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498140751,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4518_TO-252_81acfcaa-8d36-44ad-8160-dc2a9dc1b72b.jpg?v=1772904182"},{"product_id":"sud09p10-195-be3-s1","title":"SUD09P10-195-BE3","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 2.5W（Ta）、32.1W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 195ミリオーム @ 3.6A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 8.8A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 34.8 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1055 pF @ 50 V","brand":"Vishay Siliconix","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498173519,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/742_7E5347_7EN_2CP_7E2.jpg?v=1772904181"},{"product_id":"gsfh5020-s1","title":"GSFH5020","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±30V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 252W（Ta）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 3.9V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 190ミリオーム @ 10A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 500 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 20A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 49.5 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 2687 pF @ 25 V","brand":"Good-Ark Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498206287,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_GSFH03152.jpg?v=1772904180"},{"product_id":"si4800bdy-t1-ge3-s1","title":"SI4800BDY-T1-GE3","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±25V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 1.3W（Ta）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 1.8V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 18.5ミリオーム @ 9A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 6.5A（Ta）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 13 nC @ 5 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Vishay Siliconix","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498239055,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/742_7E5498_7EDY_2CEY_7E8_62c79267-c233-4e72-ae9a-c3fb4e6819f4.jpg?v=1772904180"},{"product_id":"sud50p06-15-s1","title":"SUD50P06-15","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～155°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 2.5W（Ta）、113W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 15ミリオーム @ 17A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 60 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 50A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"UMW","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498271823,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4518_TO-252_67bfba82-26ca-4147-87b4-d20722d2918e.jpg?v=1772904180"},{"product_id":"nvats68301pzt4g-s1","title":"NVATS68301PZT4G","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: AEC-Q101\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: 自動車\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 84W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 3.5V @ 1mA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 75ミリオーム @ 14A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 31A（Ta）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 55 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 2850 pF @ 20 V","brand":"onsemi","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498304591,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/488_7E369AA-01_7ED_7E2.jpg?v=1772904182"},{"product_id":"2sj356-0-t2-az-s1","title":"2SJ356(0)-T2-AZ","description":"技術: -\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: -\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -\u003cbr\u003eVgs（最大）: -\u003cbr\u003e取り付けタイプ: -\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: -\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: -\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: -\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: -\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Renesas Electronics Corporation","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498370127,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1_5bff5945-711a-48b9-adbf-387a0f5ca9af.jpg?v=1772904183"},{"product_id":"ntmfs4854nst3g-s1","title":"NTMFS4854NST3G","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±16V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 900mW（Ta）、86.2W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 2.5ミリオーム @ 15A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 25 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 15.2A（Ta）、149A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 85 nC @ 11.5 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 3.2V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 4830 pF @ 12 V","brand":"onsemi","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498402895,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/488_7E506BQ-01_7E_7E8.jpg?v=1772904181"},{"product_id":"huf75339p3-s1","title":"HUF75339P3","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 200W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 12ミリオーム @ 75A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 55 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 75A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 130 nC @ 20 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 2000 pF @ 25 V","brand":"Harris Corporation","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498435663,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_MC78M05BTG_819da691-ce61-4c9d-8de0-c6e626ce8f1e.jpg?v=1772904179"},{"product_id":"ipp70n12s3l12aksa1-s1","title":"IPP70N12S3L12AKSA1","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: AEC-Q101\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: 自動車\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 125W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.4V @ 83µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 12.1ミリオーム @ 70A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 120 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 70A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 77 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 5550 pF @ 25 V","brand":"Infineon Technologies","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498468431,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/448_7EPPG-TO220-3-1_7E_7E3_d670b68c-3365-459f-9be3-91cf87d12fa8.jpg?v=1772904181"},{"product_id":"ipi70n12s3l12aksa1-s1","title":"IPI70N12S3L12AKSA1","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: AEC-Q101\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: 自動車\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 125W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.4V @ 83µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 12.1ミリオーム @ 70A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 120 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 70A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 77 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 5550 pF @ 25 V","brand":"Infineon Technologies","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498501199,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/448_7EPPG-TO262-3-1_7E_7E3.jpg?v=1772904179"},{"product_id":"bsc024ne2lsatma1-s1","title":"BSC024NE2LSATMA1","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 2.5W（Ta）、48W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 2.4ミリオーム @ 30A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 25 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 25A（Ta）、 110A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 23 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1700 pF @ 12 V","brand":"Infineon Technologies","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498533967,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/448_7EPPG-TDSON-8-5_7E_7E8.jpg?v=1772904179"},{"product_id":"umwirf5305pbf-s1","title":"UMWIRF5305PBF","description":"技術: -\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: -\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -\u003cbr\u003eVgs（最大）: -\u003cbr\u003e取り付けタイプ: -\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: -\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: -\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: -\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: -\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"UMW","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498566735,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4518_TO-220_4a1a56fc-a835-4da3-afca-e4846db8e7b0.jpg?v=1772904184"},{"product_id":"auirfz44n-s1","title":"AUIRFZ44N","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: AEC-Q101\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: 自動車\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 94W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 17.5ミリオーム @ 25A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 55 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 49A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 63 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1470 pF @ 25 V","brand":"Infineon Technologies","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498599503,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/698-TO-220AB_8fdc3ceb-ce07-40e3-b7a5-3ff4d66039a6.jpg?v=1772904182"},{"product_id":"buk7635-55a-118-s1","title":"BUK7635-55A,118","description":"技術: -\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: -\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -\u003cbr\u003eVgs（最大）: -\u003cbr\u003e取り付けタイプ: -\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: -\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: -\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: -\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: -\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"NXP USA Inc.","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498632271,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/D_C2_B2Pak_2CTO-263_418AA-01_750a337f-ac87-4e6f-8370-d6ede1237505.jpg?v=1772904181"},{"product_id":"ipp80n06s2l11aksa2-s1","title":"IPP80N06S2L11AKSA2","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: AEC-Q101\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: 自動車\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 158W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 93µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 10.7ミリオーム @ 40A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 55 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 80A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 80 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 2075 pF @ 25 V","brand":"Infineon Technologies","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498665039,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/448_7EPPG-TO220-3-1_7E_7E3_145b254c-5c6c-4271-9f07-a3b2b5acc32c.jpg?v=1772904182"},{"product_id":"auirfs3806-s1","title":"AUIRFS3806","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: AEC-Q101\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: 自動車\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 71W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 50µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 15.8ミリオーム @ 25A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 60 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 43A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 30 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1150 pF @ 50 V","brand":"International Rectifier","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498697807,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_2156_MJD32CTF-ON_0b8b57bf-79a6-49fb-a9b7-e863242a5625.jpg?v=1772904180"},{"product_id":"g370p10k-s1","title":"G370P10K","description":"技術: -\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: -\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -\u003cbr\u003eVgs（最大）: -\u003cbr\u003e取り付けタイプ: -\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: -\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: -\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: -\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: -\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498730575,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_4822_TO-252.jpg?v=1772904181"},{"product_id":"std2nk60z-1-s1","title":"STD2NK60Z-1","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±30V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 45W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 4.5V @ 50µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 8オーム @ 700mA、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 600 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 1.4A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 10 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 170 pF @ 25 V","brand":"STMicroelectronics","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498763343,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/497_3B0068771-IPAKShortLeads_3B_3B3_4bca4ea1-b10f-4e89-995e-f8072db6041d.jpg?v=1772904181"},{"product_id":"ipp80n04s303aksa1-s1","title":"IPP80N04S303AKSA1","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: AEC-Q101\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: 自動車\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 188W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 120µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 3.5ミリオーム @ 80A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 80A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 110 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 7300 pF @ 25 V","brand":"Infineon Technologies","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498828879,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/448_7EPPG-TO220-3-1_7E_7E3_684d81fc-0fcf-4882-8184-4f0ed394d4ba.jpg?v=1772904183"},{"product_id":"ipi70n12s311aksa1-s1","title":"IPI70N12S311AKSA1","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: AEC-Q101\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: 自動車\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 125W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 83µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 11.6ミリオーム @ 70A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 120 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 70A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 65 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 4355 pF @ 25 V","brand":"Infineon Technologies","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498861647,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/448_7EPPG-TO262-3-1_7E_7E3_a97a1a45-fb06-4ccd-9aa5-d4b2e46fdbd5.jpg?v=1772904181"},{"product_id":"fdms8660as-s1","title":"FDMS8660AS","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 2.5W（Ta）、104W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 1mA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 2.1ミリオーム @ 28A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 28A（Ta）、49A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 83 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 5865 pF @ 15 V","brand":"onsemi","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498894415,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/488_7EMKT-PQFN08A_7E_7E8.jpg?v=1772904182"},{"product_id":"auirf3504-s1","title":"AUIRF3504","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: AEC-Q101\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: 自動車\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 143W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 100µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 9.2ミリオーム @ 52A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 87A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 54 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 2150 pF @ 25 V","brand":"Infineon Technologies","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498927183,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/698-TO-220AB_7306878e-2686-44ed-ab5c-f016a2b88943.jpg?v=1772904181"},{"product_id":"fdpf7n50u-s1","title":"FDPF7N50U","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±30V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 39W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 5V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 1.5オーム @ 2.5A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 500 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 5A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 16.6 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 940 pF @ 25 V","brand":"onsemi","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498959951,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/488_7EMKT-TO220M03_7E_7E3_6f0d76a7-6e40-410b-871f-32a17374a943.jpg?v=1772904182"},{"product_id":"fcpf850n80z-s1","title":"FCPF850N80Z","description":"技術: -\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: -\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -\u003cbr\u003eVgs（最大）: -\u003cbr\u003e取り付けタイプ: -\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: -\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: -\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: -\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: -\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Fairchild\/ON Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601498992719,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}]},{"product_id":"nds9435-s1","title":"NDS9435","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Pチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -\u003cbr\u003eVgs（最大）: -\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 2W\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: -\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: -\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 5.3A\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Fairchild Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601499025487,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_ECH8674-TL-H_44ce468a-9c6c-4d57-9447-0ff68f6d5bc1.jpg?v=1772904182"},{"product_id":"upa2719gr-e1-a-s1","title":"UPA2719GR-E1-A","description":"技術: -\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: -\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -\u003cbr\u003eVgs（最大）: -\u003cbr\u003e取り付けタイプ: -\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: -\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: -\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: -\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: -\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Renesas Electronics Corporation","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601499058255,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_FW257-TL-E_014ee627-5559-46c8-9bb8-a19f8432a406.jpg?v=1772904182"},{"product_id":"g70n04t-s1","title":"G70N04T","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 104W（Tc）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.4V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 7ミリオーム @ 30A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 70A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -","brand":"Goford Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601499091023,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_GT52N10T.jpg?v=1772904184"},{"product_id":"rq7g080bgtcr-s1","title":"RQ7G080BGTCR","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: 150°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: 面実装\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 1.1W（Ta）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 1mA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 16.5ミリオーム @ 8A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 8A（Ta）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 10.6 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 530 pF @ 20 V","brand":"Rohm Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601499123791,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/846_7ETSMT8_7E_7E8-Top_152c1d32-ec6a-4a29-9627-e8f94d5a0e5c.jpg?v=1772904183"},{"product_id":"isl9n306ad3-s1","title":"ISL9N306AD3","description":"技術: MOSFET（金属酸化物）\u003cbr\u003e認定: -\u003cbr\u003eFET機能: -\u003cbr\u003eFETタイプ: Nチャンネル\u003cbr\u003eグレード: -\u003cbr\u003e動作温度: -55°C～175°C（TJ）\u003cbr\u003eVgs（最大）: ±20V\u003cbr\u003e取り付けタイプ: スルーホール\u003cbr\u003e電力散逸（最大）: 125W（Ta）\u003cbr\u003eId印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 250µA\u003cbr\u003eId、Vgs印加時のRds On（最大）: 6ミリオーム @ 50A、10V\u003cbr\u003eドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30 V\u003cbr\u003e電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 50A（Tc）\u003cbr\u003eVgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 90 nC @ 10 V\u003cbr\u003e駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V\u003cbr\u003eVds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 3400 pF @ 15 V","brand":"Fairchild Semiconductor","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44601499156559,"sku":null,"price":0.0,"currency_code":"JPY","in_stock":false}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0681\/3119\/2911\/files\/MFG_ISL9N302AS3_fcceb958-a816-4b15-a683-f2672913937d.jpg?v=1772904184"}],"url":"https:\/\/tayol.net\/collections\/fet-mosfet.oembed?page=1248","provider":"TAYOL","version":"1.0","type":"link"}